Un material cunha alta condutividade térmica –CVD

CVDé o material con maior condutividade térmica entre as substancias naturais coñecidas.A condutividade térmica do material de diamante CVD é tan alta como 2200 W/mK, que é 5 veces a do cobre.É un material de disipación de calor cunha condutividade térmica ultra alta.A condutividade térmica ultra alta do diamante CVD pode disipar eficazmente a calor xerada polo dispositivo e é o mellor material de xestión térmica para dispositivos de alta densidade de fluxo de calor.
A aplicación de dispositivos de potencia de semicondutores de terceira xeración en campos de alta tensión e alta frecuencia converteuse gradualmente no foco do desenvolvemento da industria global de semicondutores.Os dispositivos GaN úsanse amplamente en campos de alta frecuencia e alta potencia, como as comunicacións 5G e a detección de radar.Co aumento da densidade de potencia do dispositivo e a miniaturización, o efecto de autoquecemento na zona activa do chip do dispositivo aumenta rapidamente, o que fai que a mobilidade do portador diminúa e que o dispositivo se atenúe as características estáticas de 1-V, varios indicadores de rendemento se deterioran rapidamente, e a fiabilidade e estabilidade do dispositivo están seriamente desafiadas.A integración case unión de chips de diamante CVD e GaN de condutividade térmica ultra alta pode disipar eficazmente a calor xerada polo dispositivo, mellorar a fiabilidade e a vida útil do dispositivo e realizar sistemas electrónicos compactos.
O diamante CVD cunha condutividade térmica ultra alta é o mellor material de disipación de calor para compoñentes electrónicos de alta potencia, alto rendemento, miniaturizados e altamente integrados.É amplamente utilizado en comunicacións 5G, defensa nacional, aeroespacial, transporte e outros campos.Casos de aplicación típicos e vantaxes de rendemento dos materiais diamantados de condutividade térmica ultra alta:
1. Radar GaN RF disipación de calor do dispositivo;(alta potencia, alta frecuencia, miniaturización)
2. Disipación de calor con láser de semicondutores;(alta potencia de saída, alta eficiencia de conversión electro-óptica)
3. Disipación de calor da estación base de comunicación de alta frecuencia;(alta potencia, alta frecuencia)