Un material con alta condutividade térmica (CVD)

ECVé o material coa maior condutividade térmica entre as substancias naturais coñecidas. A condutividade térmica do material de diamante CVD é de ata 2200 W/mK, 5 veces maior que a do cobre. É un material de disipación de calor con condutividade térmica ultraalta. A condutividade térmica ultraalta do diamante CVD pode disipar eficazmente a calor xerada polo dispositivo e é o mellor material de xestión térmica para dispositivos de alta densidade de fluxo de calor.
A aplicación de dispositivos de potencia semicondutores de terceira xeración en campos de alta tensión e alta frecuencia converteuse gradualmente no foco do desenvolvemento da industria global de semicondutores. Os dispositivos de GaN úsanse amplamente en campos de alta frecuencia e alta potencia, como as comunicacións 5G e a detección de radar. Co aumento da densidade de potencia e a miniaturización dos dispositivos, o efecto de autoquecemento na área activa do chip do dispositivo aumenta rapidamente, o que fai que a mobilidade do portador diminúa e as características estáticas de 1 V do dispositivo atenúanse, varios indicadores de rendemento deterióranse rapidamente e a fiabilidade e a estabilidade do dispositivo vense seriamente desafiadas. A integración de chips de diamante CVD de condutividade térmica ultraalta e de GaN na unión próxima pode disipar eficazmente a calor xerada polo dispositivo, mellorar a fiabilidade e a vida útil do dispositivo e realizar sistemas electrónicos compactos.
O diamante CVD con condutividade térmica ultraalta é o mellor material de disipación de calor para compoñentes electrónicos de alta potencia, alto rendemento, miniaturizados e altamente integrados. Úsase amplamente en comunicacións 5G, defensa nacional, aeroespacial, transporte e outros campos. Casos de aplicación típicos e vantaxes de rendemento dos materiais de diamante con condutividade térmica ultraalta:
1. Disipación de calor do dispositivo RF de GaN de radar; (alta potencia, alta frecuencia, miniaturización)
2. Disipación da calor do láser semicondutor; (alta potencia de saída, alta eficiencia de conversión electroóptica)
3. Disipación de calor da estación base de comunicación de alta frecuencia; (alta potencia, alta frecuencia)