Nd:YVO4 – Láseres de estado sólido bombeados por diodo
Descrición do produto
Nd:YVO4 pode producir potentes e estables láseres IR, verdes e azuis co deseño de Nd:YVO4 e cristais de duplicación de frecuencia.Para as aplicacións nas que se necesita un deseño máis compacto e unha saída de modo único lonxitudinal, Nd:YVO4 mostra as súas vantaxes particulares sobre outros cristais láser de uso común.
Vantaxes de Nd:YVO4
● Baixo limiar de lasing e alta eficiencia en pendente
● Gran sección transversal de emisión estimulada na lonxitude de onda de láser
● Alta absorción nun ancho de banda de lonxitude de onda de bombeo amplo
● Ópticamente uniaxial e gran birrefringencia emite láser polarizado
● Baixa dependencia da lonxitude de onda de bombeo e tende á saída monomodo
Propiedades básicas
| Densidade atómica | ~1,37x1020 átomos/cm2 |
| Estrutura cristalina | Circón tetragonal, grupo espacial D4h, a=b=7,118, c=6,293 |
| Densidade | 4,22 g/cm2 |
| Dureza de Mohs | Tipo vidro, 4,6 ~ 5 |
| Expansión térmica Coeficiente | αa=4,43x10-6/K, αc=11,37x10-6/K |
| Punto de fusión | 1810 ± 25 ℃ |
| Lonxitudes de onda láser | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Óptica Térmica Coeficiente | ADN/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K |
| Emisión estimulada Sección cruzada | 25,0x10-19 cm2, @1064 nm |
| Fluorescente De por vida | 90 ms (uns 50 ms para 2 atm% Nd dopado) @ 808 nm |
| Coeficiente de absorción | 31,4 cm-1 @ 808 nm |
| Lonxitude de absorción | 0,32 mm @ 808 nm |
| Perda intrínseca | Menos 0,1 % cm-1 , @1064 nm |
| Gaña ancho de banda | 0,96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| Láser polarizado Emisión | paralelo ao eixe óptico (eixe c) |
| Diodo bombeado Óptica a Óptica Eficiencia | > 60% |
| Ecuación de Sellmeier (para cristais YVO4 puros) | no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2 |
| no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2 |
Parámetros técnicos
| Nd concentración dopante | 0,2 ~ 3 atm% |
| Tolerancia ao dopante | dentro do 10% da concentración |
| Lonxitude | 0,02 ~ 20 mm |
| Especificación do revestimento | AR @ 1064 nm, R < 0,1 % e HT @ 808 nm, T>95 % |
| HR @ 1064 nm, R>99,8 % e HT @ 808 nm, T>9 % | |
| HR @ 1064 nm, R>99,8 %, HR @ 532 nm, R>99 % e HT @ 808 nm, T>95 % | |
| Orientación | dirección cristalina de corte a (+/-5 ℃) |
| Tolerancia dimensional | +/-0,1 mm (típico), alta precisión +/-0,005 mm pode estar dispoñible baixo petición. |
| Distorsión da fronte de onda | <λ/8 a 633 nm |
| Calidade de superficie | Mellor que 20/10 Scratch/Dig por MIL-O-1380A |
| Paralelismo | < 10 segundos de arco |
Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo
