-
Fotodetector para rango láser e rango de velocidade
O rango espectral do material InGaAs é de 900-1700 nm e o ruído de multiplicación é menor que o do material de xermanio. Úsase xeralmente como rexión multiplicadora para díodos de heteroestrutura. O material é axeitado para comunicacións de fibra óptica de alta velocidade e os produtos comerciais alcanzaron velocidades de 10 Gbit/s ou superior.
Produtos
Si e InGaAs, PIN e APD, lonxitude de onda: 400-1100 nm, 900-1700 nm. (Adecuado para sistemas de medición de distancias láser, medición de velocidade, medición de ángulos, detección fotoeléctrica e sistemas de contramedidas fotoeléctricas).